SE-Modus - Topographiekontrast mittels Sekundärelektronen

Die Bildgebung im SE-Modus beschreibt die Topographie einer Oberfläche. Die folgenden Aufnahmen zeigen den Unterschied:

  • Links: SE-Aufnahme von Metallpartikel in Kohlenstoffmatrix
  • Rechts: BSE-Aufnahme von Metallpartikeln in Kohlenstoffmatrix

Unterschied zwischen Topographiekontrast (links) und Materialkontrast (rechts)

Beim Auftreffen von schnellen Elektronen auf Ihr Probenmaterial finden zahlreiche Wechselwirkungen statt. Eine davon ist die Sekundäremission bzw. die Emission von Sekundärelektronen.

Wird der Elektronenstrahl über die Oberfläche gerastert und die Anzahl der Sekundärelektronen im Detektor mit der Position des Elektronenstrahls auf der Oberfläche korreliert, lassen sich die Informationen als Bild darstellen.

Die Energien dieser Sekundärelektronen liegen i.d.R. unterhalb von 50 eV. Es erfolgt eine starke Absorption dieser Sekundärelektronen im Material selbst, weshalb im Wesentlichen nur Sekundärelektronen aus den obersten 1-10 nm des Probenmaterials austreten und zum Detektor gelangen können. Die Informationstiefe ist sehr gering, die Auflösung dadurch hoch.

Außerdem gibt es keinen nennenswerten Einfluss der Ordnungszahl eines Elementes (für mittlere bis schwere Elemente). Die mittlere Ordnungszahl des Materials spielt keine entscheidende Rolle.

Mit unserem hauseigenen Labor für Elektronenmikroskopie sind wir Ihr Partner für Werkstoffanalysen und Materialprüfung im Raum Aachen, Mönchengladbach, Köln und Düsseldorf, aber auch bundes- und europaweit.

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